藍寶石外延片（SOS）

產品詳情

Parameters range for Silicon on Sapphire (SOS) Epi Wafers
Wafer diameter	76 mm, 100 mm, 150 mm
Orientation	(1012) ± 1o (R-plane)
Substrate dopant	-
Epi-layer thickness (μm)	0.3 – 2.0
Epi-layer dopant	Phosphorous, Boron
Epi-layer resistivity (Ohm.cm)	2.5-30 Ohm.cm
n-type	according to spec.
p-type	according to spec.

在藍寶石片上外延生長一層硅薄膜以制作半導體集成電路的技術，簡稱 SOS。這種結構能提供理想的隔離，并減小PN結底部的寄生電容，故適合于制作高速大規模集成電路，實現高速和低功耗。

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